Xiaomi Mi 12 avrà una RAM di ultima generazione

Secondo quanto si apprende da recenti indiscrezioni trapelate sul web, sembra che il futuro Mi 12 di Xiaomi disporrà di RAM LPDDR5X.
Xiaomi Mi 12 avrà una RAM di ultima generazione

In qualità di leader globale nello sviluppo di standard per l’industria globale della microelettronica, la JEDEC Solid State Technology Association ha appena annunciato il nuovo standard JESD209-5B per la memoria DRAMLow Power Double Rate di quinta generazione“. In poche parole, stiamo parlando delle RAM di tipo LPDDR5X. Secondo le ultime fonti, lo Xiaomi Mi 12 disporrà di questo hardware sotto la scocca.

Xiaomi Mi 12 avrà la RAM LPDDR5X

Una delle novità principali della suddetta tecnologia riguarda la velocità complessiva che aumenta da 6400Mbps a 8533Mbps. Inoltre, l’equalizzazione TX/RX migliora l’integrità del segnale e la nuova gestione del refresh adattivo migliora l’affidabilità. Secondo una nuova indiscrezione trapelata sul web, il Mi 12 di casa Xiaomi verrà lanciato con questa nuova specifica di memoria.

Inoltre, il Mi 12 utilizzerà anche il chip di punta di ultima generazione di Qualcomm, lo Snapdragon 898 (nome provvisorio). Se il nuovo flagship dell’OEM cinese utilizzerà questa memoria, potrebbe essere il primo device mobile a godere della RAM LPDDR5X.

Vale la pena notare che, oltre all’aggiornamento del supporto della memoria, anche le prestazioni dello Snapdragon 898 saranno migliorate.

Rapporti precedenti affermano che questo chip adotterà un’architettura a quattro cluster 1+3+2+2 con una frequenza di 3.09. In esso, il core super-large Kryo 780 si basa su Cortex-X2, il core large Kryo 780 si basa sul Cortex-710 e il core large ad alta efficienza energetica Kryo 780 si basa sul Cortex-510 (alta frequenza). Infine, il core piccolo per l’efficienza energetica di Kryo 780 si basa sul Cortex-A510 (bassa frequenza).

Vale la pena ricordare che il processo Snapdragon 898 porterà anche grandi cambiamenti. Sebbene manchi il leggendario processo a 3 nm, sarà costruito utilizzando il processo a 4 nm di Samsung e TSMC. Tuttavia, il consumo energetico complessivo e la generazione di calore saranno piuttosto elevati. Il calo delle prestazioni dovuto al riscaldamento non è stato un granché con l’attuale Snapdragon 888. Pertanto, ci aspettiamo che Qualcomm si impegni un po’ di più con il futuro SoC.

Fonte: MyDrivers

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