L’azienda taiwanese TSMC è leader nel settore della fabbricazione di processori al silicio; si vocifera che il chipmaker abbia già realizzato la struttura delle CPU a 2 nanometri basate sull’architettura GAA-FET.
TSMC: chip a 2 Nm non prima del 2023
L’ultimo rapporto trapelato online, afferma che la produzione in serie del processore in silicio a 2 nanometri avverrà non prima del 2023. I rapporti in Cina indicano inoltre che TSMC sceglierà il processo GAA-FET abbandonando il precedente Fin-FET. Mentre TSMC non ha ancora commentato ufficialmente questa notizia, l’Economic Daily riferisce che il colosso di Taiwan renderà ufficiale tale notizia nel prossimo forum tecnico annuale.
Giusto per fare un p’ di chiarezza, “2 nanometri” è un termine che indica la distanza fra ciascun transistor su di un chip. Con una distanza minore si può godere di un consumo energetico più efficiente; se tali report si rivelassero veritieri, TSMC potrebbe essere inarrestabile nel biennio 2023-2024 con la produzione delle prime unità a 2 nm, in netto vantaggio rispetto alla concorrenza.
GAA-FET vs Fin-FET: le ragioni del cambio
TSMC adotterà la struttura “Gate-All-Around” per via dei problemi di dissipazione termica causati dai processori realizzati con un processo inferiore ai 3 nanometri. Con la modalità GAA, ridurrà la distanza fra i transistor senza disperdere corrente, portando un maggior vantaggio nel controllo elettrico.
Segnaliamo inoltre che l’anno scorso la società taiwanese ha annunciato i primi centri di ricerca e sviluppo a Hsinchu, dedicati proprio alla produzione dei chip a 2 nm; secondo rapporti precedenti, la compagnia ha già iniziato la produzione di massa delle CPU a 5 nanometri, mentre quelli a 3 nanometri non arriveranno sul mercato prima di un anno o due.
Il primo SoC a 5 nanometri prodotto da TSMC per Qualcomm sarà lo Snapdragon 875 avente una combinazione 1+3+4 core, con il principale (Cortex X1 Super-Core di ARM) che darà un upgrade prestazionale notevole volte rispetto all’A77.
Samsung invece, ha affermato che utilizzerà il processo GAA-FET, saltando le unità a 4 nanometri e concentrandosi su quelle a 3 nm.
