A conferma della recente indiscrezione secondo cui il nuovo Snapdragon di Qualcomm sarà interamente realizzato da Samsung, su Weibo ne è circolata una nuova circa la volontà dell’azienda statunitense di sfruttare la seconda generazione del processo produttivo FinFET a 14nm di Samsung per la produzione del suo chipset di punta.
Qualcomm Snapdragon 820 avrà 4 core invece che 8
L’azienda sud coreana raccoglie quindi i frutti del suo impegno nell’ottimizzazione del Soc Qualcomm allo scopo di impiegarlo per la produzione del prossimo Galaxy S7. Smentite, pertanto, le voci che parlavano di un processo produttivo a 10nm per la realizzazione del Soc di Qualcomm, speculazioni che sembrano essere maggiormente verosimili per lo sviluppo di un prossimo chip Snapdragon 830.
GPU Qualcomm Adreno 530 per lo Snapdragon 820
I primi chipset realizzati con il processo FinFET a 14nm sono stati i Galaxy S6 e i chip A9 di Apple impiegati negli attuali iPhone 6S. Tali Soc sono stati realizzati con la prima generazione del processore produttivo (Low Power Enhanced – LPE), mentre la seconda generazione (Laser Produced Plasma – LPP) sarà sfruttata per la creazione dei nuovi Soc Qualcomm e, molto probabilmente, per la prossima generazione di Soc Exynos che equipaggerà i Galaxy S7 insieme allo Snapdragon 820.
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