Tramite un comunicato stampa, Samsung ha annunciato di aver inizato la produzione di massa di chip di memoria flash NAND da 128GB realizzati con tecnologia a 10nm e 3-bit MLC (multi-level-cell) design.
Secondo quanto affermato dal produttore coreano, questi nuovi chip di memoria offrono una velocità di trasferimento dati pari a 400 Mbps, hanno la più alta densità di quelli presenti finora sul mercato e permetteranno l’aumento della produzione memory card ad alta capacità, memorie integrate ed hard disk allo stato solido SSD.
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