Samsung Electronics ha annunciato di aver iniziato la produzione della prima memoria flash “tridimensionale” Vertical NAND (V-NAND) che permette di superare il limite imposto finora dall’attuale tecnologia NAND. La nuova memoria 3D V-NAND sarà utilizzata in una vasta gamma di prodotti di elettronica di consumo ed applicazioni aziendali, tra cui archiviazione “embedded NAND” e dischi allo stato solido (SSD).
Samsung 3D V-NAND
Le nuove V-NAND di Samsung offrono una densità di 128 gigabit (Gb) su singolo chip sia grazie alla struttura verticale delle celle basata su tecnologia 3D Charge Trap Flash (CTF), proprietaria dell’azienda, sia grazie alla tecnologia del processo di interconnessione verticale utilizzata per collegare la matrice di celle 3D. Applicando entrambe queste tecnologie la 3D V-NAND permette di offrire uno scaling doppio rispetto alla struttura piana delle NAND flash in classe 20nm.
La memoria 3D V-NAND, inoltre, non solo permette un aumento di affidabilità da un minimo di 2X ad un massimo di 10X ma offre anche il doppio delle prestazioni in scrittura rispetto alle memoria NAND flash tradizionali “floating gate” in classe 10nm.
I chip 3D V-NAND di Samsung saranno utilizzati negli SSD entro la fine dell’anno e nei device mobili nel corso del 2014.
Samsung 3D V-NAND
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