Samsung ha iniziato la produzione di massa dei nuovi moduli di memoria da 4Gb (gigabit) low power double-data-rate 2 (LPDDR2) realizzati con processo a 20nm, più efficienti rispetto alla produzione a 30nm.
Grazie a questa tecnologia, quattro strati da 512MB possono essere impilati uno sopra l’altro, per un totale di 2GB di RAM, ed avranno lo stesso ingombro e consumi di un attuale modulo da 1GB. I moduli da 2GB avranno uno spessore di
0,8 millimetri e saranno in grado di elaborare dati fino a 1.066
megabit al secondo (Mbps).
Secondo Samsung, la RAM a 20nm rappresenterà "circa il 13 per cento delle spedizioni totali di memorie DRAM nel 2012, il 49 per cento nel 2013 ed il 63 per cento nel 2014 ed i moduli da 4Gb di DRAM diventeranno i chip più venduti sul mercato verso la fine del 2013".
Samsung ha già integrato 2GB di RAM nella versione giapponese del suo nuovo Galaxy SIII cosi come LG per il suo nuovo Optimus LTE2.
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