Da ieri, gli appassionati di tecnologia mobile non parlano d’altro: tutti pazzi per i nuovi Samsung Galaxy S20 e Galaxy Z Flip. Nella marea di informazioni circolate in queste ore, ci potrebbero essere due importanti caratteristiche di nuovi gioiellini della linea Galaxy S passate inosservate. Ci riferiamo alla presenza del supporto eSIM e anche alla memoria RAM ultra veloce di tipo LPDDR5.
Samsung Galaxy S20: fra eSIM e RAM velocissime
Il supporto all’eSIM sta pian piano prendendo piede sugli smartphone Android e anche iOS. Tuttavia, sono ancora pochi, pochissimi, i produttori che decidono di dotare i loro device della possibilità di funzionare con SIM card virtuali. Se la presenza dell’eSIM sembrava quasi scontata su Galaxy Z Flip, molto meno lo era sugli altri flagship lanciati l’11 febbraio.
Invece, Samsung Galaxy S20, S20 Plus ed S20 Ultra godono tutti e tre di questa importante caratteristica. L’utente non sarà obbligato a utilizzare le schede virtuali, il supporto alla nanoSIM è comunque garantita. In verità, per ognuno dei modelli elencati sarà prevista una versione dual SIM con sistema ibrido, che può essere cioè sfruttato solo rinunciando all’espansione di memoria per utilizzare la seconda SIM fisica. In più c’è anche il supporto all’eSIM, nel caso l’utente voglia utilizzarla.
I vantaggi di questa nuova tecnologia sono tantissimi e c’è da tenere in considerazione che ormai gli operatori di telefonia mobile presenti in Italia hanno iniziato ad adeguarsi, offrendo la possibilità sfruttarle. In soldoni, le eSIM sono il futuro e Samsung ci si è già proiettato con i suoi nuovi flagship.
L’altra interessante caratteristica dei nuovi Galaxy S20 è l’utilizzo di memoria RAM ultra veloci: tutta la gamma ha a bordo memorie di tipo LPDDR5. Si pensava che il primo smartphone che avrebbe sfruttato le memorie volatili più veloci di sempre sarebbe stato Xiaomi Mi 10, ma evidentemente il colosso sud coreano ha battuto il competitor sul tempo. Anche in questo caso, si tratta di un dettaglio assolutamente da non trascurare, soprattutto considerando che la nuova RAM è abbinata a memorie interne di tipo UFS 3.1: l’accoppiata non può che dare vita a uno smartphone incredibilmente veloce, che continua a strizzare l’occhio all’autonomia energetica.
