Il Realme GT Neo sarà ufficializzato il 31 marzo in Cina. Prima del lancio, lo smartphone ha fatto visita alla piattaforma di benchmarking Geekbench. L’elenco ha rivelato che lo smartphone sarà disponibile anche in una variante potentissima con ben 12 GB di memoria RAM.
Realme GT Neo: midrange premium con carattere
Il terminale Realme RMX3031 che è apparso su Geekbench oggi è lo smartphone Realme GT Neo. Le varianti da 6 GB di RAM e 8 GB di RAM del telefono sono state avvistate sul portale di benchmarking all’inizio di questo mese. Come si può vedere nello screenshot qui sotto allegato, il suddetto device potrebbe arrivare anche in una versione da 12 GB di RAM.
Come è già noto, Realme GT Neo sarà alimentato dal chipset Dimensity 1200 e funzionerà con il sistema operativo Android 11. La variante da 12 GB di RAM dello smartphone ha ottenuto un punteggio di 975 nel test single-core e 3320 nel test multi-core di Geekbench.
Prima del lancio, il sub-brand di OPPO sta gradualmente rivelando le caratteristiche chiave del device in questione. Oggi, ha confermato che lo smartphone sarà dotato di doppi speaker stereo accoppiati al supporto Dolby Atmos.
L’azienda ha anche confermato che il dispositivo sarà alimentato da una batteria da 4.500 mAh e peserà solo 179 grammi. Le immagini ufficiali del telefono hanno rivelato che sarà dotato di un sistema a tripla fotocamera con lente principale da 64 megapixel, uno scanner di impronte digitali montato sul frame laterale e di una porta USB-C. Gli altri dettagli dello smartphone devono ancora essere confermati.
Oltre al Realme GT Neo, la società lancerà anche il Realme V13 5G il 31 marzo in Cina. I rapporti hanno rivelato che il telefono di fascia media offrirà specifiche come un display LCD IPS da 6,52 pollici a 90 Hz, uno scanner di impronte digitali montato lateralmente, un sistema a tripla fotocamera con main camera da 48 megapixel, chipset Dimensity 700, 8 GB di RAM, fino a 256 GB di spazio di archiviazione e una batteria da 5.000 mAh con supporto per la ricarica rapida da 18 W.
