Samsung ha appena trovato il suo primo concorrente nel campo delle memorie flash UFS 2.0 (presenti su tutti gli smartphone Galaxy S6 e S6 Edge): l’azienda coreana SK Hynix, specializzata in semiconduttori, ha annunciato infatti di aver iniziato la produzione di chip da 64GB del tipo UFS 2.0. Young Joon Choi, vice presidente della SK Hynix e Head della NAND Solution Development Division, ha dichiarato: «SK Hynix è lieta di approcciarsi ai dispositivi mobile per migliorare le loro prestazioni con l'avanzato UFS 2.0».
Memorie UFS 2.0 usate da Samsung
Le memorie Universal Flash Storage sono ultra veloci, in particolar modo quelle di tipo 2.0, in quanto usano la tecnologia denominata “Command Queue” (già presente nelle memorie allo stato solido SSD) per accelerare l’esecuzione dei comandi impartiti dal processore centrale.
Se si andasse a paragonare le perfomance di questa nuova soluzione con quelle delle memorie di tipo eMMC 5.0, si noterebbe un miglioramento delle prestazioni del 135 per cento circa. Per le operazioni di scrittura, invece, si riesce a raggiungere la cifra di 14.000 IOPS, il che significa un miglioramento di ben 28 volte rispetto alla tecnologia precedente.
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