Samsung ha annunciato di aver sviluppato la prima memoria DRAM da 8 gigabit (Gb) LPDDR4 (Low Power Double Data Rate). Il nuovo chip, realizzato con processo a 20nm, offre 1GB di memoria su un singolo “die”. Si tratta della più alta densità su un componente DRAM.
Quattro chip da 8Gb combinati tra loro offriranno, di conseguenza, un singolo blocco di memoria da 4GB LPDDR4 che potrà essere utilizzato in smartphone e tablet permettendo l’utilizzo di display di risoluzioni maggiori, più velocità nella gestione delle applicazioni ed una maggiore durata delle batterie.
Il nuovo chip di memoria di Samsung integra un’interfaccia Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O che permette il trasferimento di dati a 3200Mbps, il doppio rispetto alle DRAM LPDDR3 attuali.
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